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MT53E1G32D2FW-046 WT:C产品详情规格MT53E1G32D2FW-046 WT:C 是一款SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb 并联 2.133 GHz 200-TFBGA(10x14.5)
1. 器件标识与基本信息
型号:MT53E1G32D2FW-046 WT:C
产品类型:Mobile LPDDR4 SDRAM(低功耗 DDR4 内存)
密度 / 组织:32Gb(=4GB),1G × 32bit(单通道 32 位)
速度等级:-046 = 4266 MT/s(时钟 2133MHz,周期 468ps)
展开剩余87%温度等级:WT = 工业级(-40℃ ~ +105℃)
封装:200 球 TFBGA,10.0×14.5×1.1mm,球距 0.8mm
环保:RoHS 合规、无铅绿色封装
状态:量产(Active)
2. 电源与电气特性
核心电压 VDD:1.10V(典型范围 1.06–1.17V)
I/O 电压 VDDQ:1.10V(典型)或 0.60V(LPDDRX 低功耗模式,范围 0.57–0.65V)
接口电压 VDD2:1.80V(范围 1.70–1.95V)
工作温度:-40℃ 至 +105℃(WT 等级)
湿度敏感度:MSL 3(168 小时 @85℃/85% 非冷凝)
3. 架构与引脚
Bank 结构:单通道 8 个 Bank,支持并发操作
预取深度:16n(支持高带宽操作)
突发长度:BL=16/32(可编程)
引脚功能:包含 CK/CK# 差分时钟、CA 地址 / 命令、DQS/DQS# 数据选通、DQ 数据总线、VSS/VDDQ 电源与地等
封装代码:D8CJG(WT 系列)Micron Technology
4. 性能与时序
数据速率:4266 MT/s(每引脚),总线带宽达 8.5GB/s
CAS 延迟(CL):可编程(支持 CL16/18/20/22 等,依频率配置)
写延迟(WL):可编程(支持 WL8/10/12/14 等)
关键时序:
tRFCab(整体刷新):280ns
tRFCpb(分区刷新):140ns
tRAS(行地址稳定):42ns
tRP(行预充电):18ns
tRCD(行到列延迟):18ns
tWR(写恢复):15ns
tWTR(写到读转换):7.5ns
tRRD(行组间延迟):6ns
tFAW(四行窗口):50ns
5. 功能特性
低功耗:
部分阵列自刷新(PASR)
时钟停止(Clock-stop)与深度自刷新
可编程 I/O 驱动强度(DS)与 ODT 终端
LPDDRX 低电压 I/O 模式(0.6V VDDQ)
信号完整性:
差分双向数据选通(DQS)
单端时钟(CK/CK#)
可编程 ODT(片上端接),支持读 / 写 / 双向配置
可靠性:
每 Bank 独立刷新(Directed per-bank refresh)
片内温度传感器,自动调整自刷新速率
支持 ECC(错误校验与纠正,部分配置)
其他:
支持多片串联(Dual Die)与片上电源管理
兼容 JEDEC LPDDR4 标准
6. 机械与封装
封装类型:TFBGA-200(Thin Fine Ball Grid Array)
封装尺寸:10.0mm(宽)×14.5mm(长)×1.1mm(高)
球距:0.8mm
包装形式:
卷带(Reel):2000 片 / 卷(型号后缀 TR)
干盒(Dry Pack):1360 片 / 盒
焊盘要求:符合 JEDEC 规范,建议使用阻焊定义焊盘(Solder Mask Defined)
应用
工业控制、嵌入式系统、工控平板 车载终端、智能座舱(非安全域) 商显 / 广告机、医疗影像设备 物联网网关、智能家居、安防设备MICRON/美光常用型号汇总/大量库存现货/支持订货:
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
MT62F1G32D2DS-023 WT:B
MT62F1G32D2DS-023 WT:C
MT62F1G32D2DS-026 WT:B
MT62F1G32D4DR-031 WT:B
MT62F2G32D4DS-023 WT:B
MT62F2G32D4DS-023 WT:C
MT62F2G32D4DS-026 WT:B
MT62F2G32D8DR-031 WT:B
MT62F2G64D8EK-023 WT:C
MT62F2G64D8ZA-020 WT:C
MT62F2G64D8ZA-020 WT:F
MT62F4G32D8DV-023 WT:B
MT62F4G32D8DV-023 WT:C
MT62F4G32D8DV-023WT: C
MTC4C10163S1SC56BD1 KC
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